Wohin mit den Terabytes? Neue Wege in der Spin-Elektronik

Datenmengen im privaten, öffentlichen und kommerziellen Bereich wachsen rasant - und das fast unbemerkt. Grund dafür ist eine gegenläufige Entwicklung: Denn ebenso schnell werden Datenspeicher immer kleiner und billiger. Der limitierende Faktor bleibt meist die Schreibgeschwindigkeit. Um die wachsenden Datenfluten mit "ultra high speed" abzuspeichern, braucht es kreative Ideen und neue Technik. Ein kreatives Team beschreibt einen neuen Weg bei der Entwicklung von superschnellen Speichermedien: Mastermind Sergii Khmelevskyi und Peter Mohn vom Institut für Angewandte Physik (v.l.n.r) Prof. Peter Mohn und sein Team vom Institut für Angewandte Physik der TU Wien setzten auf eine Technologie, die ohne ein heute verbreitetes, kompliziertes System aus mehreren magnetischen Materialien auskommt, dafür aber einen extrem schnellen quantenmechanischen Tunneleffekt ausnutzt. Verbindet man nämlich den altbekannten AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Effekt mit dem quantenmechanischen Tunneleffekt zum TAMR (Tunnel Anisotropic Magneto Resistance), so lassen sich Änderungen des elektrischen Widerstandes um 50% erreichen, mehr als genug um ein Speicherelement zu realisieren. In aufwendigen Computersimulationen konnte das Forschungsteam um Prof. Mohn und Dr. Sergii Khmelevskyi erstmals ein ferri-magnetisches Material beschreiben, in dem die Nutzbarkeit des vorgeschlagenen quantenmechanischen Effekts nachgewiesen werden kann.